ارتفاع أسهم NVTS بعد التعاون التاريخي مع شركة التك...

جدول المحتويات ترتفع أسهم NVTS حيث تعرض الشركة حلول الطاقة المتطورة ضمن إطار NVIDIA MGX يشهد تداول ما قبل السوق طفرة كبيرة بعد الكشف عن شراكة NVIDIA، حيث تضع تقنيات نيتريد الغاليوم وكربيد السيليكون المتقدمة الشركة في ازدهار البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، وتولد لوحة الطاقة الثورية 800 VDC حماس المستثمرين لـ NVTS، كما أن الموقع الاستراتيجي في النظام البيئي NVIDIA يزيد من ثقة السوق في تقنية Navitas شهدت أسهم Navitas Semiconductor زخمًا تصاعديًا كبيرًا بعد ارتفاع كبير قبل السوق يوم الأربعاء. أنهى السهم جلسة الثلاثاء عند 25.86 دولارًا، مما يعكس زيادة بنسبة 4.02٪، قبل أن يرتفع إلى 31.37 دولارًا خلال ساعات ما قبل السوق. تمثل هذه القفزة الرائعة تقدمًا بنسبة 21.31% وتشير إلى معنويات صعودية قوية تخترق مستويات المقاومة. Navitas Semiconductor Corporation، NVTS شارك المتخصص في أشباه الموصلات في حفل شركاء NVIDIA الحصري الذي أقيم في 29 مايو في مركز Nangang للمعارض في تايبيه. جمع هذا التجمع بين موفري التكنولوجيا الرئيسيين المتوافقين مع منصة البنية التحتية AI Factory MGX من NVIDIA. سلط هذا الحدث الضوء على انتقال الصناعة نحو 800 بنية حامل VDC مصممة خصيصًا لمرافق الذكاء الاصطناعي واسعة النطاق. تقدم الشركة نظام توزيع الطاقة المبتكر 800 فولت إلى 6 فولت DC-DC في معرض COMPUTEX 2026. ويقام هذا المعرض التكنولوجي الرئيسي في الفترة من 2 إلى 5 يونيو في تايبيه. قامت Navitas بوضع لوحتها المتقدمة بشكل استراتيجي ضمن جناح AI Factory MGX Ecosystem Showcase من NVIDIA. تعمل لوحة الدائرة المبتكرة هذه على تعزيز تقنية GaNFast للتخلص من البنية التقليدية لمحول الناقل المتوسط بقدرة 48 فولت. يتيح هذا الاختراق كفاءة مكانية فائقة داخل صواني حساب الخادم. بالإضافة إلى ذلك، يوفر النهج الهندسي مقاييس كفاءة محسنة، ومعايير موثوقية محسنة، وتنظيمًا أكثر دقة للطاقة على مستوى مكونات وحدة معالجة الرسومات. كشفت Navitas أن لوحة الدائرة تتضمن 16 ترانزستورًا ذو تأثير ميداني GaNFast مع تصنيفات 650 فولت ومقاومة 11 مللي أوم. تستخدم هذه المكونات تصميم حزمة التبريد المزدوج DFN8×8 المتقدم للشركة. يحقق النظام أقصى قدر من الكفاءة بنسبة 97.5% أثناء التشغيل بتردد تحويل يبلغ 1 ميجاهرتز. يوفر هذا الإنجاز الهندسي كثافة طاقة رائعة تبلغ 2100 واط لكل بوصة مكعبة. علاوة على ذلك، يبلغ حجم اللوحة حوالي 20% أنحف من الهواتف الذكية المعاصرة. يسمح عامل الشكل المدمج هذا بالتركيب على مقربة من لوحات وحدة معالجة الرسومات، وبالتالي تعزيز خصائص الاستجابة العابرة. وشددت الشركة أيضًا على العلاقة بين ابتكاراتها ومتطلبات الطاقة المتصاعدة عبر البنية التحتية لخادم الذكاء الاصطناعي. ووفقاً لشركة نافيتاس، تمثل هندسة توزيع الطاقة الآن عاملاً حاسماً في تحديد تطور مرافق مراكز البيانات واسعة النطاق. تعالج مجموعة منتجات GaN وSiC الشاملة متطلبات سعة طاقة الحامل المرتفعة، وتقليل آثار النظام، والإدارة الحرارية الفائقة. تقوم شركة Navitas بتصنيع حلول أشباه موصلات الطاقة واسعة النطاق المصممة لتحويل الطاقة بكفاءة عالية في التطبيقات ذات المهام الحرجة. تدير عائلة منتجات كربيد السيليكون GeneSiC توزيع الطاقة من اتصالات شبكة المرافق من خلال رفوف حسابية تعمل بالذكاء الاصطناعي. تخدم هذه الحلول تطبيقات محولات الحالة الصلبة ووحدات توزيع الطاقة ثلاثية الطور. يشمل نطاق التكنولوجيا وحدات طاقة 2300 فولت و3300 فولت من كربيد السيليكون المُحسّنة للبنية التحتية ذات الجهد العالي. بالإضافة إلى ذلك، فهو يتميز بوحدات MOSFET بجهد 1200 فولت تم تصنيعها باستخدام عملية تصنيع الجيل الخامس الخاصة بالشركة. تعمل هذه المكونات مجتمعة على تمكين مواصفات كثافة الطاقة الفائقة وتعزيز متانة النظام. وفي الوقت نفسه، تعمل تقنية GaNFast على تسهيل تحويل DC-DC عالي التردد المصمم خصيصًا لتلبية متطلبات طاقة وحدة معالجة الرسومات AI. يتيح ذلك التشغيل على نطاق ميجا هرتز، وأوقات الاستجابة المتسارعة، وتوصيل الطاقة الأمثل من التوزيع على مستوى الحامل إلى مكونات وحدة معالجة الرسومات الفردية. ونتيجة لذلك، شهدت NVTS زخمًا تجاريًا قويًا حيث عززت Navitas مكانتها داخل إطار النظام البيئي NVIDIA MGX. اكتشف الأسهم الأفضل أداءً في الذكاء الاصطناعي والعملات المشفرة والتكنولوجيا من خلال تحليل الخبراء.