中国最大的半导体首次亮相获得批准，目标是数十亿美元的意外之财

中国最大的本土 DRAM 芯片制造商刚刚获得批准，这可能是中国多年来最有影响力的科技 IPO 之一。长鑫存储科技（CXMT）已获得上海证券交易所批准在科创板上市，目标是通过发行 106 亿股股票筹集约 295 亿元人民币（约合 42 亿美元）。

长鑫存储公布的2026年第一季度营收为508亿元人民币，同比增长逾七倍。自 2025 年中期以来，全球 DRAM 短缺导致内存芯片价格和出货量双双上涨，导致利润同期增长近 17 倍。

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国家支持的挑战者进入擂台

长鑫存储总部位于合肥，多年来一直试图缩小与主导全球 DRAM 市场的三大公司：三星、SK 海力士和美光的差距。长鑫存储是中国推动芯片自给自足的核心，在中国试图减少对外国内存供应商的依赖之际，它得到了国家的支持。

上市所得款项将专门用于扩大 DRAM 产能、推进制造技术以及建设高带宽内存能力。具体来说，长鑫存储的目标是到 2026 年大规模生产 HBM3 芯片。HBM3 是一种为人工智能训练芯片和高性能计算系统提供动力的超高速存储器。

流动性问题

中国市场参与者有理由保持谨慎。以往的大规模国内上市历来都造成了短期流动性压力，随着投资者转向新的大型发行，资金从现有持股中撤出。其他几家中国科技公司也一直在排队等待公开发行，累积的资本需求可能会考验国内流动性的深度。

这对投资者意味着什么

从机遇方面来看，DRAM 市场正处于周期的有利阶段。全球供应短缺推高了定价能力，而产能不断扩大的公司已准备好抓住这一机遇。长鑫存储自 2026 年 5 月起更新的招股说明书反映了这一点，显示自 2025 年中期以来强劲的盈利增长与内存价格上涨直接相关。

这些风险包括地缘政治摩擦、出口管制、贸易限制和设备准入限制，这些可能会减缓长鑫存储的技术路线图。在先进内存技术上与三星和 SK 海力士竞争是一项耗时多年、耗资数十亿美元的任务。