在有报道称霍尔木兹海峡可能重新开放石油流通后，全球市场对能源压力缓解的迹象表示欢迎。然而，随着整个科技行业内存芯片短缺的加剧，另一种通胀风险正在引起人们的关注。 DRAM 和 NAND 产品成本上升开始影响硬件供应链、云基础设施和企业技术支出。这一事态发展为通胀前景增添了另一个变量，其中已经包括食品和能源问题。币安研究院发布的研究强调了过去一年内存价格的急剧上涨。报告称，随着人工智能基础设施消耗的先进内存生产份额不断增加，DRAM 价格已上涨约六倍。这种转变将需求集中在高带宽内存、服务器 DRAM 和企业固态硬盘上。因此，可供消费电子产品使用的存储组件越来越少。币安研究院估计，即使到 2027 年内存制造产能增长近 30%，短缺也可能持续存在。该报告预计，到那时，PC 内存供应缺口将达 15%，智能手机内存供应缺口将达 12%。虽然消费电子产品在通胀指数中的权重相对较小，但报告指出了更广泛的后果。更高的内存成本会增加科技公司的生产费用，并增加整个云服务的运营成本。这些压力还可能影响设备规格和产品升级周期。面临更高组件成本的公司通常会调整硬件产品或推迟新产品的发布。该报告将内存短缺描述为结构性供应问题，而不是暂时的中断。新制造工厂的建设和鉴定需要多年的投资和测试才能达到规模生产。 1/“芯片通胀”：通胀故事市场低估了刚刚达成的美伊和平协议。霍尔木兹周五重新开放。油将再次流动。市场正在庆祝通胀问题的消失。他们错过了两个不存在的人。活力。食物。现在——存储芯片。三…pic.twitter.com/WZYd1tN7AN — 币安研究院 (@BinanceResearch) 2026 年 6 月 15 日 根据币安研究院的数据，到 2026 年，DRAM 供应仍可能面临约 17% 的供不应求。尽管制造能力有所增加，但 2027 年，这种不平衡可能会继续接近 15%。 NAND 内存市场也面临着类似的情况。研究表明，由于需求增长超过可用供应，短缺可能会持续到 2028 年。行业集中度也较高。币安研究院估计，三星、SK 海力士和美光合计生产了全球 DRAM 总产量和当前所有高带宽内存产量的约 90%。大型云提供商已通过签订多年供应协议来做出回应。这些合同还可能压低其他买家的供应并重申当前的供应限制。该报告将这些发展与货币政策的总体意图联系起来。如果供应驱动的通胀持续下去，可能会使利率回落变得更加困难，特别是在技术、能源和食品投入都面临压力的情况下。流动性状况趋紧往往是数字资产市场的一个短期问题。然而，在比特币和其他加密资产的背景下，与通货膨胀相关的叙述仍然存在，而投资者则密切关注不断变化的宏观经济风险。
