Investoren strömen zu Kioxia, da das bevorstehende US-Marktdebüt die Aktienkurse fast verfünffachen lässt

Inhaltsverzeichnis Kioxia Holdings (KXIAY) hat Pläne für eine Notierung an einer großen US-Börse angekündigt, was einen bedeutenden Fortschritt gegenüber seinem derzeitigen außerbörslichen Handelsstatus auf den amerikanischen Märkten darstellt. Der in Tokio ansässige Hersteller von Flash-Speichern gab an, dass die Börsennotierung noch der behördlichen Genehmigung unterliegt und spezifische Details zu Zeitpunkt, gewählter Börse und Börsenstruktur noch festgelegt werden müssen. Die Aktien des KXIAY American Depositary Receipts sind seit Jahresbeginn um 460 % gestiegen. Im Vergleich dazu hat Micron (MU), ein führender US-Speicherkonkurrent, im gleichen Zeitraum etwa 167 % zugelegt. Für das Geschäftsjahr, das am 31. März 2026 endete, meldete Kioxia ein Umsatzwachstum von 37 % im Vergleich zum Vorjahr auf 2,34 Billionen Yen. Der Nettogewinn belief sich auf ¥ 554,49 Milliarden, wobei sich der unverwässerte Gewinn pro Aktie im Vergleich zur Vorperiode nahezu verdoppelte. Die Betriebsmarge des Unternehmens stieg von 26,5 % auf 37,2 %. Die Eigenkapitalrendite stieg von 45,9 % auf 51,9 % und die Kapitalrendite stieg von 12,8 % auf 23,7 %. Der operative Cashflow erreichte 616,54 Milliarden Yen, ein Anstieg gegenüber 476,41 Milliarden Yen im Vorjahr. Die Barreserven zum Jahresende beliefen sich auf 470,71 Milliarden Yen und übertrafen damit deutlich die kurzfristigen Verpflichtungen von 203,37 Milliarden Yen. Die Produkt-Roadmap von Kioxia umfasst ein Super-High-IOPS-Solid-State-Laufwerk, das für mehr als 10 Millionen Ein-/Ausgabevorgänge pro Sekunde ausgelegt ist. Die Probenahme wird für die zweite Hälfte des Jahres 2026 erwartet. Gleichzeitig entwickelt das Unternehmen seine CM9-Reihe weiter, eine leistungsorientierte SSD, die speziell für KI-Systeme entwickelt wurde, die sowohl Geschwindigkeit als auch Zuverlässigkeit erfordern. Durch die Zusammenarbeit mit Nvidia entwickelt Kioxia GPU-nebenliegende Speicherlaufwerke, die eine direkte GPU-Anbindung ermöglichen und möglicherweise einige Speicheranforderungen mit hoher Bandbreite in generativen KI-Serverkonfigurationen ausgleichen. Die Produktion der BiCS FLASH-Technologie der 10. Generation mit mehr als 300 Schichten soll im Jahr 2026 beginnen. Dell und Kioxia haben gemeinsam ein 2U-Serverdesign mit Platz für bis zu 9,8 Petabyte Flash-Kapazität vorgestellt, das auf KI-intensive und datenreiche Unternehmensumgebungen ausgerichtet ist. Die Konfiguration nutzt die PCIe 5.0-Flash-Technologie und legt den Schwerpunkt auf Speicherdichte und Energieeffizienz für KI-Infrastrukturbereitstellungen. Diese Ankündigung fiel mit der Einführung des Deskside Agentic AI-Angebots von Dell zusammen, das in sein AI Factory with Nvidia-Framework integriert ist. Kazuyoshi Saito, Analyst bei Cosmo Securities, betonte, dass die NAND-Herstellungskosten von Kioxia 20–30 % unter denen der Branchenkonkurrenz liegen und gleichzeitig eine überlegene Speicherdichte pro Flächeneinheit und eine Lese-/Schreibleistung bieten, die die Konkurrenz um 10–20 % übertrifft. Die Zusammenarbeit des Herstellers mit SanDisk unterhält einige der weltweit größten NAND-Fertigungsanlagen in Yokkaichi und Kitakami und verteilt die Ausrüstungs- und Forschungsausgaben auf die Partner. Kioxia hat sich kürzlich dazu verpflichtet, neu ausgegebene Aktien von Nanya zu erwerben, verbunden mit einer erweiterten DRAM-Liefervereinbarung – eine strategische Initiative, um seine traditionelle Abhängigkeit von externen DRAM-Lieferanten zu verringern. Branchenbeobachter beobachten eine potenzielle Schwachstelle: Konkurrenten wie SK Hynix treiben die Entwicklung von Quad-Level-Zellen-Unternehmensspeicherlösungen für KI-Rechenzentren voran. Kioxia hat eingeräumt, dass es derzeit keine Flash-Technologie mit hoher Bandbreite verfolgt, was möglicherweise zu einer Präsenz in einer schnell wachsenden Unternehmenskategorie führen könnte. Nach der Gewinnmitteilung stiegen die an der Tokioter Börse unter dem Börsenkürzel TSE:285A gehandelten Aktien um 29,1 %.