在英伟达的看涨预测的推动下，投资者的热情引发了 SK 海力士股票的上涨

周二市场活动期间，SK 海力士股价大幅上涨近 7%，推动韩国 KOSPI 基准首次突破 8,000 点大关。随着最新交易日的进展，该股上涨约 5.72%，大盘指数因围绕人工智能半导体技术的普遍乐观情绪而上涨。这一势头源于英伟达最近公布的第一财季业绩指标。这家图形处理巨头的收入总计 816 亿美元，同比增长 85%，而其数据中心业务则飙升 92%，达到 752 亿美元。首席执行官黄仁勋将需求轨迹描述为“呈抛物线状”。这一特征引起了内存行业利益相关者的强烈共鸣。作为 Nvidia 人工智能加速器所用高带宽内存的主要供应商，随着投资者重新调整预期，SK 海力士成为直接受益者。该半导体制造商报告称，未来三年内 HBM 产品的客户订单已经超过其现有的制造能力。 SK海力士最近的季度业绩同样令人印象深刻。 2026 年第一季度，该公司实现收入 52.58 万亿韩元，营业利润 37.61 万亿韩元，与 12 个月前同期相比增长了 405%。得益于对 HBM 芯片、高密度服务器 DRAM 产品和企业级固态硬盘的强劲需求，营业利润率达到 72%。金融分析师迅速做出反应，修改了预测。瑞银将目标价提高至 170 万韩元，同时将 2026 年和 2027 年每股收益预期分别上调 22% 和 29%。 Mirae Asset Securities 设定了 320 万韩元的雄心勃勃的目标，SK Securities 则提出了达到 300 万韩元的看涨情景。 TrendForce 为乐观前景提供了额外支持，预测 2026 年第二季度传统 DRAM 合约价格将环比增长 58-63%。NAND 闪存产品预计在同一时间段内升值 70-75%。这些预测代表了实质性的市场分析——它们表明了影响内存市场中众多产品领域的真正供应限制。除了令人印象深刻的财务指标之外，SK 海力士周二还透露了一项突破性的产品创新：iHBM 解决方案，代表着为下一代 HBM 芯片（包括即将推出的 HBM5 架构）设计的热管理突破。该技术将专门的冷却组件直接集成在 Die-to-Die 物理层（连接 HBM 和 GPU 组件的关键接口）内，其中热集中带来了最大的挑战。该创新使热阻降低了 30%。该解决方案建立在 SK 海力士经过验证的 MR-MUF 封装方法之上，使客户能够在无需大量重新设计的情况下实施该技术。这家半导体制造商将这一开发定位为对高速堆叠额外芯片以满足人工智能数据处理要求时出现的热管理障碍的战略响应。高级副总裁兼 PKG 开发主管 Kangwook Lee 解释说，iHBM 解决方案“将内存设计能力与先进封装技术相结合”，以满足高密度 AI 计算环境的规格。 KOSPI 指数目前显示 2026 年迄今增长约 75%，已成为人工智能基础设施投资最透明的公开市场指标之一。当本月初该指数突破 7,000 点时，三星电子和 SK 海力士合计占该指数总估值的 44%。