三星股价因首次 HBM4E 内存芯片发货而飙升 6%

三星电子周五宣布，已向客户交付 12 层 HBM4E 存储芯片的初始样品，这标志着行业里程碑。该消息推动三星股价在首尔交易中上涨 5.8%，而美光科技则在美国股市开盘前上涨约 2%。根据之前的 HBM4 标准进行基准测试时，先进的内存解决方案可将数据吞吐量提高 20% 以上，并将存储容量提高 30% 以上。据三星称，该芯片集成了其最新的 1c DRAM 工艺节点——代表该公司第六代 10 纳米级 DRAM 架构——与 4 纳米代工逻辑基础芯片相结合。在三星 2 月份推出标准 HBM4 芯片样品仅三个月后，这一里程碑就到来了。加速的时间表凸显了三星对人工智能内存市场领导地位的积极追求。该公司在一份声明中表示：“三星计划在初始样品发货和优化之后，按照客户时间表开始批量生产 HBM4E。”三星的客户包括英伟达、AMD 和谷歌，这些行业巨头推动了人工智能基础设施领域对尖端内存解决方案的需求。这家韩国科技巨头此前曾于 4 月份表示打算在第二季度运送 HBM4E 样品。该公司履行了这一承诺。美光是美国高带宽内存生产领域三星和 SK 海力士的主要竞争对手。虽然三星的公告表面上看起来具有竞争力，但市场动态却讲述了一个更加微妙的故事。美光已公开表示其完整的 HBM4 产能已分配到 2026 年。这一预售库存表明三星的最新进展不会立即削弱美光的地位。法国巴黎银行预计，到 2025 年，整个 HBM 市场将增长一倍以上，达到约 760 亿美元，到 2027 年将攀升至 1,560 亿美元。这种强劲的扩张为这三个制造商提供了充分的繁荣机会。根据 Counterpoint Research 的数据，截至 2025 年底，SK 海力士占据了全球 HBM 收入份额 57% 的市场份额。三星占22%，美光占21%。美光科技在半导体领域经历了巨大的发展势头，鉴于全行业持续存在的供应限制，三星的 HBM4E 首次亮相似乎不太可能扰乱这一轨迹。 SK 海力士保持了 HBM 市场领导者的地位，尽管三星显然正在缩小竞争距离，而且速度比行业观察家预期的要快。 Nvidia 是最大的 HBM 芯片消费者之一，由于行业情绪普遍乐观，周五股价上涨 0.78%。三星的 HBM4E 采用了该公司迄今为止最先进的 DRAM 技术节点，三星声称该技术节点对该产品进行了战略定位，以满足即将到来的人工智能计算平台的需求。