SK 海力士 (000660) 向韩国先进 HBM 封装工厂投资 13B 美元

韩国存储器巨头 SK 海力士周三透露，打算拨款约 19 万亿韩元（约合 130 亿美元）在国内建设尖端封装制造工厂。该设施被指定为 P&T7，计划位于清州兴德区。根据监管机构披露，建设活动定于本月开始。这是该公司历史上最大规模的个人设施投资之一。新工厂将完全专注于先进封装业务——高带宽内存（HBM）芯片的关键组装工艺。 HBM 代表了驱动当代 AI 加速器的内存架构，包括 Nvidia 领先产品线的产品。作为全球首屈一指的存储半导体制造商，SK 海力士是 Nvidia 的重要供应商。随着人工智能数据中心基础设施在全球范围内的快速扩张，产品需求急剧增加。先进封装超越了简单的生产阶段——它从根本上影响了存储芯片传输数据的速度和效率。在人工智能计算环境中，这种性能特征被证明是至关重要的。 HBM 架构利用通过微观垂直路径互连的垂直堆叠存储层。以商业规模实现这一复杂的过程需要大量的技术专业知识和大量的资本投资。该芯片制造商表示，它一直在加快产能扩张时间表，以满足新订单需求。今年早些时候，在同样的市场压力的推动下，该公司在韩国快速启动了另一家存储芯片生产工厂。 SK 海力士在其监管文件中承认，预计投资金额仍然灵活，具体取决于不断变化的市场动态和公司战略重点。本周早些时候，SK Hynix 宣布已开始商业规模生产专门为 Nvidia 的 Vera Rubin AI 处理器设计的先进内存模块，该处理器代表 Nvidia Blackwell 的后继平台。这一生产公告仅在价值 130 亿美元的工厂揭晓前几天发布，突显了该制造商正在加快步伐以确保其供应链定位。投资计划披露后，周三股价下跌约 1%。此次小幅回调是在前一交易日飙升至历史高点之后出现的。截至周三交易，SK 海力士已在韩国交易所上市，股票代码为 000660。该制造商尚未透露 P&T7 生产设施的目标完工时间表。通过专家分析发现人工智能、加密货币和技术领域表现最好的股票。